logo
منزل المنتجاترقاقة دارة متكاملة

BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz

شهادة
الصين ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. الشهادات
الصين ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. الشهادات
زبون مراجعة
تم شحنه بسرعة كبيرة ، وكان مفيدًا جدًا ، جديد وأصلي , سأوصي به بشدة.

—— نيشيكاوا من اليابان

خدمة احترافية وسريعة ، أسعار مقبولة للبضائع.اتصال ممتاز ، المنتج كما هو متوقع.أوصي بشدة بهذا المورد.

—— لويس من الولايات المتحدة

الجودة العالية والأداء الموثوق به: "المكونات الإلكترونية التي تلقيناها من [ShenZhen Mingjiada Electronics Co.، Ltd.] ذات جودة عالية وأظهرت أداءً موثوقًا في أجهزتنا".

—— ريتشارد من ألمانيا

الأسعار التنافسية: الأسعار المقدمة من قبل تنافسية جدا، مما يجعلها خيار ممتاز لاحتياجات المشتريات لدينا.

—— تيم من ماليزيا

خدمة العملاء المقدمة من قبل ممتازة. هم دائما استجابة ومساعدة، وضمان احتياجاتنا تلبية على وجه السرعة.

—— فنسنت من روسيا

أسعار رائعة، تسليم سريع، وخدمة عملاء من الدرجة الأولى

—— نيشيكاوا من اليابان

مكونات موثوقة، شحن سريع، ودعم ممتاز.

—— سام من الولايات المتحدة

قطع الغيار عالية الجودة وعملية طلب سلسة أوصي بشدة بشينتشن مينغجيادا إلكترونيكس كو، ليتد لأي مشروع إلكتروني

—— لينا من ألمانيا

ابن دردش الآن

BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz

BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz
BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz

صورة كبيرة :  BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: CN
اسم العلامة التجارية: Original Factory
إصدار الشهادات: Lead free / RoHS Compliant
رقم الموديل: BLF8G22LS-270GV
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 10
الأسعار: Contact for Sample
تفاصيل التغليف: الوحدة النمطية
وقت التسليم: 5-8 أيام عمل
شروط الدفع: / تي تي، خطاب الاعتماد، ويسترن يونيون
القدرة على العرض: 10000 قطعة يوميا

BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz

الوصف
رقم الجزء: BLF8G22LS-270GV تكنولوجيا: LDMOS
تكرار: 2.11 جيجا هرتز ~ 2.17 جيجا هرتز يكسب: 17.3 ديسيبل
الجهد - اختبار: 28 v الحالي - اختبار: 2.4 أ
إبراز:

270W Power Integrated Circuit Chip

,

28V Voltage LDMOS Transistor

,

2.11GHz ~ 2.17GHz Frequency RF Power Transistor

BLF8G22 Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistors Product Overview Of BLF8G22 BLF8G22 is 270W LDMOS power transistor with improved video bandwidth for base station applications at frequencies from 2110 MHz to 2170 MHz. Specifications Of BLF8G22 Technology LDMOS Frequency 2.11GHz ~ 2.17GHz Gain 17.3dB Voltage - Test 28 V Current - Test 2.4 A Power - Output 80W Voltage - Rated 65 V Mounting Type Chassis Mount Package / Case SOT-1244C Supplier

تفاصيل الاتصال
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

اتصل شخص: Sales Manager

الهاتف :: 86-13410018555

الفاكس: 86-0755-83957753

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)