|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | التاسع200N10T | نوع فيت: | قناة ن |
|---|---|---|---|
| استنزاف لمصدر الجهد (Vdss): | 100 فولت | التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية: | 200 أمبير (ح) |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds: | 9400 بيكو فاراد @ 25 فولت | تبديد السلطة (الحد الأقصى): | 550 واط (ح) |
| إبراز: | 100V Power MOSFET,200A N-Channel MOSFET,TO-247-3 Trench Gate MOSFET |
||
IXTH200N10T Integrated Circuit Chip 100V 200A N-Channel Trench Gate Power MOSFETs TO-247-3 Product Overview Of IXTH200 The IXTH200N10T is a 100V, 200A N-Channel Enhancement Mode Trench Gate Power MOSFET housed in a TO-247-3 package. It belongs to a series of high-current, low-on-resistance trench-gate power MOSFETs designed for demanding power switching applications, including switch-mode power supplies, motor drives, inverters, DC-DC converters, and welding machines.
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
