|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | IXFH80N65X2W | استنزاف لمصدر الجهد (Vdss): | 650 v |
|---|---|---|---|
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية: | 80A (Tc) | جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق): | 10 فولت |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: | 38 مللي أوم @ 40 أمبير ، 10 فولت | Vgs (th) (Max) @ Id: | 5 فولت @ 4 مللي أمبير |
| إبراز: | 650V MOSFET Transistor,80A Power MOSFET,38mOhm N-Channel MOSFET |
||
IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3 Product Overview Of IXFH80N65X2W The IXFH80N65X2W is an X2-Class HiPerFET power MOSFET rated at 650 V breakdown voltage with 80 A continuous drain current and 38 mΩ on-resistance. It is an avalanche-rated, N-channel enhancement-mode device featuring a fast intrinsic body diode, low gate charge, and low package inductance for high power density designs. This part targets switch-mode and resonant
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
