|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | IPI80N06S4-07 | استنزاف لمصدر الجهد (Vdss): | 60 فولت |
|---|---|---|---|
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية: | 80A (Tc) | بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs: | 56 نانو سي @ 10 فولت |
| تبديد السلطة (الحد الأقصى): | 79 وات (ح) | درجة حرارة التشغيل: | -55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (TJ) |
| إبراز: | 60V Automotive N-Channel MOSFET,80A Power MOSFET Transistor,AEC Q101 Qualified N-Channel MOSFET |
||
IPI80N06S4-07 Integrated Circuit Chip OptiMOS™-T2 Power Transistors 60V Automotive N-Channel MOSFETs Product Overview Of IPI80N06 The IPI80N06S4-07 is a 60V, enhancement-mode OptiMOS™-T2 automotive N-channel power MOSFET transistor housed in a PG-TO262-3 package. Engineered for demanding automotive and industrial power applications, it delivers high current capability, low on-resistance, and reliable performance across an extended temperature range. Specifications Of IPI80N06
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
