|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | IXFN60N80P | استنزاف لمصدر الجهد (Vdss): | 800 فولت |
|---|---|---|---|
| التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية: | 53A (Tc) | جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق): | 10 فولت |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: | 140 مللي أوم عند 30 أمبير، 10 فولت | Vgs (th) (Max) @ Id: | 5 فولت @ 8 مللي أمبير |
| إبراز: | 800V Power MOSFET Transistor,53A N-Channel MOSFET,N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
||
IXFN60N80P Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement Mode 800V 53A Power MOSFET Transistors Product Overview Of IXFN60N80P The IXFN60N80P is an N-Channel Enhancement Mode 800V, 53A Power MOSFET Transistor. Polar™ HiPerFETs (IXF..) combine the strengths of the Polar Standard product family with a faster body diode, whose reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridge motor control and uninterruptible power supply (UPS) applications.
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
