رقم القطعة:IPDQ60R022S7XTMA1
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5 فولت @ 1.44 مللي أمبير
درجة حرارة التشغيل:-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
رقم القطعة:NTH4L020N090SC1
تكنولوجيا:SiCFET (كربيد السيليكون)
نوع FET:قناة N
رقم القطعة:NVBLS001N06C
المعرف - تيار التصريف المستمر:422 أ
أقصى درجة حرارة للتشغيل:+ 175 ج
رقم القطعة:NTHL080N120SC1A
آر ديس أون:110 مللي أوم
VGS:4.3 فولت
رقم القطعة:NVH4L022N120M3S
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية:68 أمبير (ح)
محرك الجهد:18 فولت
رقم القطعة:NTBLS1D1N08H
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs:1.05mOhm @ 50A ، 10V
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds:11200 pF @ 40 فولت
رقم القطعة:NTBG080N120SC1
استنزاف − إلى − مصدر الجهد:1200 فولت
بوابة إلى − مصدر الجهد:−15 / + 25 فولت
رقم القطعة:NTTFD4D0N04HLTWG
تكنولوجيا:MOSFET (أكسيد المعادن)
إعدادات:2 N- قناة (مزدوج)
رقم القطعة:NTHL040N120SC1
نوع FET:قناة N
تكنولوجيا:SiCFET (كربيد السيليكون)
رقم القطعة:NVMTS0D7N04CTXG
فئة المنتج:موسفيت
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs:0.67mOhm @ 50A ، 10V
رقم القطعة:NVHL060N090SC1
تيار استنزاف جهد البوابة صفر:100 ش
البوابة إلى مصدر التسرب الحالي:± 1 uA
رقم القطعة:NTP055N65S3H
وقت تأخير التشغيل النموذجي:30 نانوثانية
مسلسل:SuperFET® III
