الصين رقاقة دارة متكاملة

• 

  رقاقة الدوائر المتكاملة FDBL86210-F085 قناة N 150V 169A ترانزستورات MOSFET واحدة

  الحد الأدنى لكمية:10

  الأسعار:Contact for Sample

  تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة الدوائر المتكاملة NTMFD5C680NLT1G N-Channel Mosfet Array 60V MOSFET ترانزستورات

  الحد الأدنى لكمية:10

  الأسعار:Contact for Sample

  تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة الدوائر المتكاملة NVDS015N15MCT4G قناة 150V MOSFET ترانزستورات TO-252-3

  الحد الأدنى لكمية:10

  الأسعار:Contact for Sample

  تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة الدوائر المتكاملة NVH4L110N65S3F ترانزستورات MOSFET واحدة 650V 30A

  الحد الأدنى لكمية:10

  الأسعار:Contact for Sample

  تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة الدائرة المتكاملة NTMT064N65S3H قناة N 650V 40A ترانزستورات MOSFET 4-TDFN

  الحد الأدنى لكمية:10

  الأسعار:Contact for Sample

  تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة الدوائر المتكاملة NVMFWS015N10MCLT1G ترانزستورات MOSFET N-Channel 100V 10.5A

  الحد الأدنى لكمية:10

  الأسعار:Contact for Sample

  تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة الدوائر المتكاملة IPW65R155CFD7 650V ترانزستورات MOSFET TO247 حزمة

  الحد الأدنى لكمية:10

  الأسعار:Contact for Sample

  تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة الدوائر المتكاملة IPZ60R017C7 600V ترانزستورات CoolMOS C7 SJ MOSFET

  الحد الأدنى لكمية:10

  الأسعار:Contact for Sample

  تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة الدائرة المتكاملة BUK6D30-40EX 40V N-channel Trench MOSFET Transistors 6-UDFN

  رقم الجزء:BUK6D30-40EX

  التكوين:العازب

  وقت السقوط:33 نانوثانية

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة الدائرة المتكاملة PMN100EPAX 60V P-Channel MOSFET Transistors 6-TSOP

  رقم الجزء:PMN100EPAX

  Rds On - مقاومة مصدر الصرف:130 مللي أوم

  Pd - تبديد القوة:1.7 واط

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  الترانزستورات BUK4D122-20PX P- قناة الخندق MOSFET الترانزستورات 20V حزمة DFN

  رقم الجزء:BUK4D122-20PX

  وقت تأخير التشغيل (نموذجي):5ns

  تيار المصدر (Tamb = 25 ° C) - ماكس:-1.9 أ

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
• 

  رقاقة الدائرة المتكاملة NTMTS0D7N04CTXG N-Channel MOSFET Transistors 8-PowerTDFN

  رقم الجزء:NTMTS0D7N04CTXG

  نوع FET:قناة N

  وقت السقوط:20.4 نانوثانية

  ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ