الصين GaN IC

NCP58935ABLTXG GaN IC 650V وضع التعزيز ترانزستور طاقة نيتريد الغاليوم PDSO-F9

الحد الأدنى لكمية:10

الأسعار:Contact for Sample

تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية
NCP58934ABLTXG GaN IC GaN Power Switch 650V GaNEXUS Power Transistor PDSO-F9

الحد الأدنى لكمية:10

الأسعار:Contact for Sample

تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية
NCP58934ABTTXG GaN IC 650V وضع التعزيز GaN ترانزستور طاقة PDSO-G16 GaNEXUS مفتاح طاقة

الحد الأدنى لكمية:10

الأسعار:Contact for Sample

تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية
NTBT050N65GN1TXG GaN IC 650V GaNEXUS غاليوم نتريد FETs PDSO-G16 عالية الجهد GaN FETs

الحد الأدنى لكمية:10

الأسعار:Contact for Sample

تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية
NTBT035N65GN1TXG GaN IC GaNEXUS GaN FETs 650V وضع تعزيز نترود الغاليوم FETs PDSO-G16

الحد الأدنى لكمية:10

الأسعار:Contact for Sample

تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية
NTBT023N65GN1TXG GaN IC 650V وضع تعزيز GaNEXUS غاليوم نتريد FETs PDSO-G16

الحد الأدنى لكمية:10

الأسعار:Contact for Sample

تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية
NTBL050N65GN1TXG GaN IC غاليوم نتريد FETs 650V وضع تعزيز GaN FETs PDSO-F9

الحد الأدنى لكمية:10

الأسعار:Contact for Sample

تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية
NTBL035N65GN1TXG GaN IC 650V وضع تعزيز التردد العالي GaN FETs PDSO-F9

الحد الأدنى لكمية:10

الأسعار:Contact for Sample

تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية
CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC مضخم طاقة 40 واط، كسب 25 ديسيبل، نطاق 6 جيجاهرتز إلى 12 جيجاهرتز، نيتريد الغاليوم HEMT MMIC

رقم الجزء:CMPA601C025F

يكسب:25 ديسيبل

تردد التشغيل:6 جيجا هرتز إلى 12 جيجا هرتز
NCP58933ABTTXG GaN IC وضع التعزيز ترانزستور طاقة نيتريد الغاليوم PDSO-G16 مفتاح طاقة GaN

الحد الأدنى لكمية:10

الأسعار:Contact for Sample

تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية
NCP58933ABLTXG GaN IC 650V محسن GaNEXUS GaN مفتاح الطاقة PDSO-F9

الحد الأدنى لكمية:10

الأسعار:Contact for Sample

تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية
SGT1D5R10MEA GaN IC 100V 474A تعزيز الوضع PowerGaN ترانزستور En-FCLGA 5x6

الحد الأدنى لكمية:10

الأسعار:Contact for Sample

تفاصيل التغليف:الحزمة القياسية

Page 2 of 27|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

GaN IC

الصين GaN IC

NCP58935ABLTXG GaN IC 650V وضع التعزيز ترانزستور طاقة نيتريد الغاليوم PDSO-F9

NCP58934ABLTXG GaN IC GaN Power Switch 650V GaNEXUS Power Transistor PDSO-F9

NCP58934ABTTXG GaN IC 650V وضع التعزيز GaN ترانزستور طاقة PDSO-G16 GaNEXUS مفتاح طاقة

NTBT050N65GN1TXG GaN IC 650V GaNEXUS غاليوم نتريد FETs PDSO-G16 عالية الجهد GaN FETs

NTBT035N65GN1TXG GaN IC GaNEXUS GaN FETs 650V وضع تعزيز نترود الغاليوم FETs PDSO-G16

NTBT023N65GN1TXG GaN IC 650V وضع تعزيز GaNEXUS غاليوم نتريد FETs PDSO-G16

NTBL050N65GN1TXG GaN IC غاليوم نتريد FETs 650V وضع تعزيز GaN FETs PDSO-F9

NTBL035N65GN1TXG GaN IC 650V وضع تعزيز التردد العالي GaN FETs PDSO-F9

CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC مضخم طاقة 40 واط، كسب 25 ديسيبل، نطاق 6 جيجاهرتز إلى 12 جيجاهرتز، نيتريد الغاليوم HEMT MMIC

NCP58933ABTTXG GaN IC وضع التعزيز ترانزستور طاقة نيتريد الغاليوم PDSO-G16 مفتاح طاقة GaN

NCP58933ABLTXG GaN IC 650V محسن GaNEXUS GaN مفتاح الطاقة PDSO-F9

SGT1D5R10MEA GaN IC 100V 474A تعزيز الوضع PowerGaN ترانزستور En-FCLGA 5x6

رقاقة دارة متكاملة

VN7008AJTR حلقة متكاملة رقاقة محرك الجانب العالي 96A مفاتيح الجانب العالي PowerSSO-16

ADG1433YCPZ رقاقة الدوائر المتكاملة iCMOSTM التبديل 4.7Ohm التبديلات التناظرية CMOS الصناعية

LT6700CS6-1 رقاقة الدوائر المتكاملة الكهرباء المجهرية منخفضة الجهد مقارنة مزدوجة مع 400mV المرجعية

إيثرنت IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 التبديل PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch يتم تحديد عدد المفاتيح المستخدمة

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC ألاسكا ألترا جيجابيت إيثيرنث PHY Transceivers