رقم القطعة:SPC5602PEF0MLL6R
ADC:ADC × 2
نوع المذبذب:داخلي
رقم القطعة:CY8C4247AZA-M483
إدخال التباطؤ CMOS:0.5 ميللي فولت
أقصى مصدر إجمالي أو تيار رقاقة المغسلة:200 مللي أمبير
رقم القطعة:SPC5668GF1AVMG
ذاكرة الوصول العشوائي المدمجة:592 كيلو بايت
المعالج الأساسي:e200z650
رقم القطعة:CY8C4247LWA-M464T
SRAM:16 كيلو بايت
قيادة الكرة النهاية:بيور سن
رقم القطعة:STM32L412RBI6
الرامات " الذاكرة العشوائية في الهواتف والحواسيب ":40 كيلو × 8
سرعة:80 ميجا هرتز
رقم القطعة:SPC5643AF0MLU2
المعالج الأساسي:e200z4
eTPU2:32 قناة eTPU2
رقم القطعة:SPC5642AF2MVZ1
eSCI:3 × eSCI
DSPI:3 × DSPI
رقم القطعة:SPC5604EEF2MLH
وحدة المعالجة المركزية الأساسية:32 بت
ECC:512 كيلو بايت
رقم القطعة:CY9AF344MAPMC-G-MNE2
رقاقة يختار:ما يصل إلى 8 شرائح يختار
عرض البيانات:8- / 16-بت عرض البيانات
رقم القطعة:CY9BF124MPMC-G-MNCGE2
وقت التحويل:0.8 μs @ 5V
عدد التحويلات:من 1 إلى 65536
رقم القطعة:CY9AF144NAPMC-G-MNE2
I / O:5 فولت
الساعة الفرعية:32.768 كيلوهرتز
رقم القطعة:CY9AF141LAPMC1-G-MNE2
نقل منطقة العنوان:32 بت
وضع النقل:نقل الكتلة / نقل الاندفاع / نقل الطلب
Arabic
