A2T21H410-24SR6 رقاقة الدائرة المتكاملة 28V N-Channel Airfast RF Power ترانزستور LDMOS

رقاقة دارة متكاملة
April 03, 2025
Video Description:
Discover the A2T21H410-24SR6 Integrated Circuit Chip, a 28V N-Channel Airfast RF Power LDMOS Transistor designed for cellular base station applications. This high-performance transistor operates in the 2110 to 2170 MHz range, delivering 72W output power and 15.6dB gain. Ideal for digital predistortion error correction systems.
فيديوهات ذات صلة

XC7A35T-2FGG484I المجال قابل للبرمجة بوابة صف 250 I / O 33280 LE FPGA IC

مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميدانية
March 17, 2025