|
|
تفاصيل المنتج:
|
| الجهد - الحمل: | 480 فولت (كحد أقصى) | الجهد - العرض (Vcc / Vdd): | 9.5 فولت ~ 18 فولت |
|---|---|---|---|
| التيار - الناتج (الحد الأقصى): | 6 أ | Rds On (Typ): | 150 مللي أوم |
| درجة حرارة التشغيل: | -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (TJ) | نوع التركيب: | سطح جبل |
| إبراز: | LMG3411R150RWHR Gan Driver Ic,Gan Driver Ic 6A VQFN32,VQFN32 Power Distribution Switch IC |
||
برامج تشغيل التحميل LMG3411R150RWHR مفاتيح توزيع الطاقة N Channel 6A VQFN32
وصف
يتيح LMG3411R150RWHR GaN FET المزود ببرنامج تشغيل وحماية مدمجين للمصممين تحقيق مستويات جديدة من كثافة الطاقة والكفاءة في أنظمة إلكترونيات الطاقة.تشمل المزايا الكامنة في هذا الجهاز مقارنة بدوائر MOSFET السليكونية سعة إدخال وإخراج منخفضة للغاية ، واستعادة عكسية صفرية لتقليل خسائر التبديل بنسبة تصل إلى 80٪ ، ورنين عقدة التبديل المنخفض لتقليل EMI.تتيح هذه المزايا طبولوجيا كثيفة وفعالة مثل الطوطمبول PFC.
تحديد
|
حالة المنتج |
نشيط |
|
نوع التبديل |
تبديل الحمل |
|
عدد المخرجات |
1 |
|
نسبة - الإدخال: الإخراج |
1: 1 |
|
تكوين الإخراج |
جانب مرتفع |
|
نوع الإخراج |
قناة N |
|
واجهه المستخدم |
المنطق ، PWM |
|
الجهد - الحمل |
480 فولت (كحد أقصى) |
|
الجهد - العرض (Vcc / Vdd) |
9.5 فولت ~ 18 فولت |
|
التيار - الناتج (الحد الأقصى) |
6 أ |
|
Rds On (Typ) |
150 مللي أوم |
|
نوع الإدخال |
لا يعكس |
|
سمات |
دارة Bootstrap ، خرج منظم 5V |
|
حماية الأعطال |
أكثر من الحالي ، فوق درجة الحرارة ، UVLO |
|
درجة حرارة التشغيل |
-40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (TJ) |
سمات
تم تأهيل عملية GaN من خلال الموثوقية المتسارعة لملفات تعريف التحويل الثابت في التطبيق
تمكن من تصميمات تحويل الطاقة عالية الكثافة
أداء فائق للنظام فوق كود الكود أو GaN FETs المستقلة
حزمة QFN ذات الحث المنخفض 8 مم × 8 مم لسهولة التصميم والتخطيط
قوة محرك قابلة للتعديل لتبديل الأداء والتحكم في EMI
إشارة خرج حالة الخطأ الرقمي
مطلوب فقط +12 فولت من الإمداد غير المنظم
سائق بوابة متكامل
الحث صفر المصدر المشترك
تأخير انتشار قدره 20 نانوثانية لتصميم عالي التردد
يضمن جهد انحياز البوابة المشذب للتعويض عن اختلافات العتبة تحويلًا موثوقًا به
معدل دوران قابل للتعديل 25-V / ns إلى 100-V / ns
حماية قوية
لا يتطلب أي مكونات حماية خارجية
حماية من التيار الزائد مع استجابة <100 نانوثانية
أكبر من 150-V / ns معدل مناعة كبير
مناعة ضد الجهد الزائد العابر
حماية من الحرارة الزائدة
حماية إغلاق الجهد المنخفض (UVLO) على جميع قضبان الإمداد
خيارات الجهاز:
LMG3410R150: حماية مغلقة ضد التيار الزائد
LMG3411R150: حماية التيار الزائد دورة تلو الأخرى
تكوين ووظائف الدبوس
التعليمات
س: هل منتجاتك أصلية؟
ج: نعم ، جميع المنتجات أصلية ، الاستيراد الأصلي الجديد هو هدفنا.
س: ما هي الشهادات التي لديك؟
ج: نحن شركة حاصلة على شهادة ISO 9001: 2015 وعضو في ERAI.
س: هل يمكنك دعم طلب كمية صغيرة أو عينة؟ هل العينة مجانية؟
ج: نعم ، نحن نؤيد طلب العينة والنظام الصغير ، وتختلف تكلفة العينة وفقًا لطلبك أو مشروعك.
س: كيف أشحن طلبي؟هل هو آمن؟
ج: نستخدم الشحن السريع ، مثل DHL ، Fedex ، UPS ، TNT ، EMS. يمكننا أيضًا استخدام وكيل الشحن المقترح الخاص بك. ستكون المنتجات في تعبئة جيدة وضمان السلامة ونحن مسؤولون عن تلف المنتج لطلبك.
س: ماذا عن المهلة؟
ج: يمكننا شحن أجزاء المخزون في غضون 5 أيام عمل. إذا لم يكن هناك مخزون ، فسوف نؤكد لك المهلة الزمنية بناءً على كمية طلبك.
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
