|
|
تفاصيل المنتج:
|
| رقم الجزء: | IGT60R070D1 | المعرف (@ TA = 25 درجة مئوية) كحد أقصى: | 31 أ |
|---|---|---|---|
| IDpuls (@ 25 درجة مئوية) كحد أقصى: | 60 أ | Ptot ماكس: | 125 وات |
| Qg: | 5.8 nC | RDS (تشغيل) (الطباع): | 55 مΩ |
يسمح IGT60R070D1 بتصميم طوبولوجية أكثر تكثيفًا وكفاءة أعلى في التشغيل ذو الترددات العالية. يتم شهادته من خلال عملية تأهيل شاملة محددة لـ GaN ، تتجاوز المعايير الصناعية.يحتوي على حزمة HSOF-8 المبردة من الجانب السفلي (TO بدون رصاص)، تم تصميمه لتحقيق انبعاث طاقة مثالي مطلوب في مراكز البيانات الحديثة والخوادم والاتصالات والطاقة المتجددة والعديد من التطبيقات الأخرى.
| رقم الجزء | الحزمة |
|---|---|
| AWR1843ABGABLRQ1 | FCBGA161 |
| STM32WB55VGQ6 | BGA129 |
| XC5VLX30T-2FF323I | BGA |
| XC5VLX30T-1FF323C | BGA |
| LIF-MDF6000-6KMG80I | BGA-80 |
| SIM8260C-M2 | الوحدة |
| SIM8260C | الوحدة |
| SIM8100 | الوحدة |
| SIM8800CE | الوحدة |
| SIM8800E | الوحدة |
| SIM8973CE | الوحدة |
| SIM8973EA | الوحدة |
| SIM8973W | الوحدة |
| TPS79333DBVRQ1 | SOT23-5 |
| AMC1035QDRQ1 | المواصفات |
| TPS25865QRPQRQ1 | الـ QFN |
| UCC27200QDDARQ1 | SOP8 |
| LM26480QSQ-AA/NOPB | WQFN-24 |
| TPS79633QDCQRQ1 | SOT-223-6 |
| AMC23C12QDWVRQ1 | الـ SOIC8 |
| TPS62402QDRCRQ1 | VSON10 |
| TPS76933QDBVRG4Q1 | SOT23-5 |
| XC7A100T-2FGG484I | BGA484 |
| XC6SLX25-2FGG484I | BGA484 |
| XC7A50T-1FTG256I | BGA256 |
| الهدف 120R040M1 | TO263-7 |
| الهدف 120R010M1 | TO263-7 |
| الهدف 120R120M1 | TO263-7 |
| STM32H747AGI6 | UFBGA169 |
| STM32H747AII6 | UFBGA169 |
اتصل شخص: Sales Manager
الهاتف :: 86-13410018555
الفاكس: 86-0755-83957753
Arabic
