NVG037A12TC GaN IC GaNFast TM الطاقة FET 120V GaN FETs PQFN6 GaNFET منفصلة

Name: NVG037A12TC GaN IC GaNFast TM الطاقة FET 120V GaN FETs PQFN6 GaNFET منفصلة
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NVG037A12TC
Availability: InStock

جميع المنتجات

رقاقة دارة متكاملة
(21850)

BT IC
(565)

وحدات السيارات IGBT
(2236)

متحكم MCU
(15217)

GaN IC
(265)

رقاقة معالج الذكاء الاصطناعي
(1313)

مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميدانية
(7066)

إيثرنت IC
(1077)

موصلات
(3517)

شريحة ذاكرة IC
(2618)

مستشعر IC
(2570)

شريحة إنترنت الأشياء
(244)

وحدة 5G
(160)

شريحة واي فاي
(175)

اي فون IC رقاقة
(54)

وحدة الاتصال اللاسلكي
(3813)

ترموستات متحكم في درجة الحرارة
(11)

الحلول المدمجة
(10088)

شهادة

الصين ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. الشهادات

زبون مراجعة

تم شحنه بسرعة كبيرة ، وكان مفيدًا جدًا ، جديد وأصلي ， سأوصي به بشدة.

—— نيشيكاوا من اليابان

خدمة احترافية وسريعة ، أسعار مقبولة للبضائع.اتصال ممتاز ، المنتج كما هو متوقع.أوصي بشدة بهذا المورد.

—— لويس من الولايات المتحدة

الجودة العالية والأداء الموثوق به: "المكونات الإلكترونية التي تلقيناها من [ShenZhen Mingjiada Electronics Co.، Ltd.] ذات جودة عالية وأظهرت أداءً موثوقًا في أجهزتنا".

—— ريتشارد من ألمانيا

الأسعار التنافسية: الأسعار المقدمة من قبل تنافسية جدا، مما يجعلها خيار ممتاز لاحتياجات المشتريات لدينا.

—— تيم من ماليزيا

خدمة العملاء المقدمة من قبل ممتازة. هم دائما استجابة ومساعدة، وضمان احتياجاتنا تلبية على وجه السرعة.

—— فنسنت من روسيا

أسعار رائعة، تسليم سريع، وخدمة عملاء من الدرجة الأولى

—— نيشيكاوا من اليابان

مكونات موثوقة، شحن سريع، ودعم ممتاز.

—— سام من الولايات المتحدة

قطع الغيار عالية الجودة وعملية طلب سلسة أوصي بشدة بشينتشن مينغجيادا إلكترونيكس كو، ليتد لأي مشروع إلكتروني

—— لينا من ألمانيا

ابن دردش الآن

NVG037A12TC GaN IC GaNFast TM الطاقة FET 120V GaN FETs PQFN6 GaNFET منفصلة

صورة كبيرة : NVG037A12TC GaN IC GaNFast TM الطاقة FET 120V GaN FETs PQFN6 GaNFET منفصلة

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	CN
اسم العلامة التجارية:	Original Factory
إصدار الشهادات:	Lead free / RoHS Compliant
رقم الموديل:	NVG037A12TC

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية:	10
الأسعار:	Contact for Sample
تفاصيل التغليف:	الحزمة القياسية
وقت التسليم:	3-5 أيام عمل
شروط الدفع:	تي/تي
القدرة على العرض:	10000 قطعة يوميا

اتصل

NVG037A12TC GaN IC GaNFast TM الطاقة FET 120V GaN FETs PQFN6 GaNFET منفصلة

الوصف

إبراز:

NVG037A12TC GaN IC,NVG037A12TC

NVG037A12TC

NVG037A12TC GaN IC GaNFast™ Power FET

120 فولت GaN FETs في حزمة PQFN6 - مكون GaNFET منفصل يتميز بتقنية GaN المتقدمة لتطبيقات الطاقة عالية الكفاءة.

مزايا MJD

خبرة تزيد عن 15 عامًا في توزيع المكونات الإلكترونية
عملية طلب آمنة مع تواريخ تسليم مضمونة
ملاحظات ممتازة من العملاء ومعدل رضا 99.9٪
ضمان سعر منخفض بنسبة 100٪
تصدير عالمي إلى 108 دول

نبذة عن الشركة

شركة Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. هي موزع مستقل معتمد للمكونات الإلكترونية من علامات تجارية عالمية مشهورة. تأسست الشركة في عام 1996، وتوسعت بفروع في هونغ كونغ واليابان وروسيا وتايوان. معتمدة بموجب أنظمة إدارة الجودة ISO9001:2014 وأنظمة الإدارة البيئية ISO14001:2014، تقوم Mingjiada بتوزيع منتجات من أكثر من 500 مصنع مع التركيز على تعظيم فوائد العملاء من خلال مجموعة منتجات شاملة وخدمة احترافية.

ضمان الجودة

المكونات الإلكترونية المتاحة

رقم القطعة	الحزمة
AFGHL75T65SQD	TO-247-3
AFGHL75T65SQDT	TO-247-3
AFGY100T65SPD	TO-247-3
AFGY120T65SPD	TO-247-3
AFGY160T65SPD-B4	TO-247-3
FGA40N65SMD	TO-3P
FGA40T65SHD	TO-3P
XC6SLX16-2CSG324C	BGA324
XC6SLX75T-3FGG484I	BGA484
XC6SLX16-2FTG256C	256-LBGA
XCKU035-1FFVA1156I	BGA1156
XCKU035-2FFVA1156I	BGA1156
XC6SLX25-3CSG324C	BGA324
XC6SLX45-L1CSG324I	BGA324
XC3S50A-4VQG100I	TQFP100
XC3S50A-4VQG100C	TQFP100
XC7A100T-2FGG676I	BGA676
XCKV15P-2FFVA1156E	BGA1156
XC7K160T-2FFG676I	BGA676
XC7A50T-2FGG484I	BGA484
XC3S250E-4VQG100I	TQFP100
XC6SLX25-3FTG256C	BGA256
XC6SLX9-2FTG256C	BGA256
XC3S500E-4FTG256I	BGA256
XC6SLX16-2FTG256I	BGA256
XC3S200AN-4FTG256I	BGA256
XC3S400A-4FTG256I	BGA256
XC3S1400A-5FGG484C	BGA484
XC7K410T-2FFG676I	BGA676
XC6SLX150-2CSG484I	BGA484

أسئلة متكررة

هل منتجاتكم أصلية؟

نعم، جميع المنتجات أصلية. الاستيراد الأصلي الجديد هو تركيز عملنا الأساسي.

ما هي الشهادات التي لديكم؟

نحن شركة معتمدة من ISO 9001:2015 وعضو في ERAI.

هل يمكنك دعم طلبات الكميات الصغيرة أو العينات؟ هل العينة مجانية؟

نعم، نحن ندعم طلبات العينات والكميات الصغيرة. تختلف تكلفة العينة وفقًا لمتطلبات طلبك أو مشروعك.

كيف يتم شحن طلبي؟ هل هو آمن؟

نحن نستخدم شركات الشحن السريع بما في ذلك DHL و FedEx و UPS و TNT و EMS. يمكننا أيضًا استخدام وكيل الشحن المفضل لديك. يتم تعبئة المنتجات بشكل احترافي لضمان السلامة، ونحن نتحمل المسؤولية عن أي تلف للمنتج أثناء الشحن.

ماذا عن وقت التسليم؟

يتم شحن القطع المتوفرة في المخزون خلال 5 أيام عمل. بالنسبة للعناصر غير المتوفرة في المخزون، نؤكد وقت التسليم بناءً على كمية طلبك.

التصنيف العام

5.0

بناءً على 50 مراجعة لهذا المورد

لقطة تقييم

فيما يلي توزيع جميع التصنيفات

5 النجوم

100%

4 النجوم

3 النجوم

2 النجوم

1 النجوم

جميع المراجعات

し

しょうた

Japan Oct 23.2025

مفيدة (50)

It is a great shopping experience,the sales are very professional and very enthusiasm，fast delivery，good quality ,i will buy them next time!

FRANCK

France Sep 10.2025

مفيدة (10)

Good product quality, purchasing for the umpteenth time never disappoints, honest and trustworthy seller.recommended!

Jose

South Korea May 24.2025

مفيدة (28)

Supplier is highly recommended, kind and fast response.

بطاقة:

اتصل شخص: Sales Manager

الهاتف :: 86-13410018555

الفاكس: 86-0755-83957753

منتجات أخرى

نصف جسر سائق GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 للأغراض العامة

فئة: برامج تشغيل PMIC نصف الجسر الكامل

سلسلة: CoolGaN ™

التطبيقات: هدف عام

آر ديس أون: 140 مللي أوم LS 140 مللي أوم HS

FET Driver LMG3411R070RWHR Gan Power Ic Power Distribution Switches P Channel 32VQFN

النسبة - المدخلات:المخرجات: 1:1

واجهة: المنطق ، PWM

الجهد - العرض (Vcc / Vdd): 9.5 فولت ~ 18 فولت

التيار - الناتج (الحد الأقصى): 12 أ

LMG3410R070RWHR GaN IC Power Switch Driver P Channel GaN Driver مدمج

تكوين الإخراج: جانب مرتفع

نوع الإخراج: قناة ف

الجهد - الحمل: 480 فولت (كحد أقصى)

الجهد - العرض (Vcc / Vdd): 9.5 فولت ~ 18 فولت

LMG3422R030RQZR GaN FET 600V برامج تشغيل بوابة GaN المتكاملة المعزولة

تيار الخروج: 1.2 أ

امدادات التيار الكهربائي - دقيقة: 7.5 فولت

امدادات التيار الكهربائي - ماكس: 18 فولت

وقت الشروق: 4 نانوثانية

LMG3411R150RWHR Gan Driver IC 6A VQFN32 مفتاح توزيع الطاقة قناة IC N

الجهد - الحمل: 480 فولت (كحد أقصى)

الجهد - العرض (Vcc / Vdd): 9.5 فولت ~ 18 فولت

التيار - الناتج (الحد الأقصى): 6 أ

Rds On (Typ): 150 مللي أوم

NVG037A12TC GaN IC GaNFast TM الطاقة FET 120V GaN FETs PQFN6 GaNFET منفصلة

NVG037A12TC GaN IC GaNFast TM الطاقة FET 120V GaN FETs PQFN6 GaNFET منفصلة

NVG037A12TC GaN IC GaNFast TM الطاقة FET 120V GaN FETs PQFN6 GaNFET منفصلة

NVG037A12TC GaN IC,NVG037A12TC

NVG037A12TC

التصنيف العام

لقطة تقييم

جميع المراجعات

برنامج تشغيل نصف الجسر المتكامل VQFN54,

LMG3422R030RQZR GaN FET,