logo
طلب اقتباس |
منزل المنتجاتGaN IC

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

جميع المنتجات

رقاقة دارة متكاملة

(24373)

BT IC

(575)

وحدات السيارات IGBT

(2304)

متحكم MCU

(16135)

GaN IC

(306)

رقاقة معالج الذكاء الاصطناعي

(1351)

مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميدانية

(7072)

إيثرنت IC

(1167)

موصلات

(3537)

شريحة ذاكرة IC

(2651)

مستشعر IC

(2884)

شريحة إنترنت الأشياء

(248)

وحدة 5G

(160)

شريحة واي فاي

(199)

اي فون IC رقاقة

(54)

وحدة الاتصال اللاسلكي

(3880)

ترموستات متحكم في درجة الحرارة

(11)

الحلول المدمجة

(10093)
شهادة
الصين ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. الشهادات
الصين ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. الشهادات
زبون مراجعة
تم شحنه بسرعة كبيرة ، وكان مفيدًا جدًا ، جديد وأصلي ， سأوصي به بشدة.

—— نيشيكاوا من اليابان

خدمة احترافية وسريعة ، أسعار مقبولة للبضائع.اتصال ممتاز ، المنتج كما هو متوقع.أوصي بشدة بهذا المورد.

—— لويس من الولايات المتحدة

الجودة العالية والأداء الموثوق به: "المكونات الإلكترونية التي تلقيناها من [ShenZhen Mingjiada Electronics Co.، Ltd.] ذات جودة عالية وأظهرت أداءً موثوقًا في أجهزتنا".

—— ريتشارد من ألمانيا

الأسعار التنافسية: الأسعار المقدمة من قبل تنافسية جدا، مما يجعلها خيار ممتاز لاحتياجات المشتريات لدينا.

—— تيم من ماليزيا

خدمة العملاء المقدمة من قبل ممتازة. هم دائما استجابة ومساعدة، وضمان احتياجاتنا تلبية على وجه السرعة.

—— فنسنت من روسيا

أسعار رائعة، تسليم سريع، وخدمة عملاء من الدرجة الأولى

—— نيشيكاوا من اليابان

مكونات موثوقة، شحن سريع، ودعم ممتاز.

—— سام من الولايات المتحدة

قطع الغيار عالية الجودة وعملية طلب سلسة أوصي بشدة بشينتشن مينغجيادا إلكترونيكس كو، ليتد لأي مشروع إلكتروني

—— لينا من ألمانيا

ابن دردش الآن

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC
BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

صورة كبيرة :  BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: CN
اسم العلامة التجارية: Original Factory
إصدار الشهادات: Lead free / RoHS Compliant
رقم الموديل: BM3G107MUV-LBE2
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 10
الأسعار: Contact for Sample
تفاصيل التغليف: الحزمة القياسية
وقت التسليم: 3-5 أيام عمل
شروط الدفع: تي/تي
القدرة على العرض: 10000 قطعة يوميا
اتصل

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

الوصف
إبراز:

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC

,

BM3G107MUV-LBE2

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC [MJD Advantage] + 15 years experience for electronic components + Secure Ordering + Excellent Feedback + Delivery Date Guaranteed + 100% Low Price Guaranteed + Export to 108 countries, customer satisfaction rate: 99.9% !! [Company profile] Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. is an authorized independent distributor of electronic components of world-renowned brands. Founded in Shenzhen in 1996

بطاقة:

برنامج تشغيل نصف الجسر المتكامل VQFN54,

LMG3422R030RQZR GaN FET,

برنامج تشغيل بوابة Gan Fet VQFN54

تفاصيل الاتصال
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

اتصل شخص: Sales Manager

الهاتف :: 86-13410018555

الفاكس: 86-0755-83957753

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

حول

رقاقة دارة متكاملة

VN7008AJTR حلقة متكاملة رقاقة محرك الجانب العالي 96A مفاتيح الجانب العالي PowerSSO-16

ADG1433YCPZ رقاقة الدوائر المتكاملة iCMOSTM التبديل 4.7Ohm التبديلات التناظرية CMOS الصناعية

LT6700CS6-1 رقاقة الدوائر المتكاملة الكهرباء المجهرية منخفضة الجهد مقارنة مزدوجة مع 400mV المرجعية

إيثرنت IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 التبديل PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch يتم تحديد عدد المفاتيح المستخدمة

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC ألاسكا ألترا جيجابيت إيثيرنث PHY Transceivers

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة رقاقة دارة متكاملة المزود. © 2022 - 2026 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.